RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
51
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2988
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link