RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
11.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
51
Около -55% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
33
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2590
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link