RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
51
Около -104% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
25
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2583
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link