RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.5
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
16.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3634
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link