RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
15.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
51
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.8
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
36
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3050
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link