RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
51
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
33
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3482
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link