RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
51
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.5
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.8
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
25
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
19.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3910
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link