RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
11.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
51
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
15.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
40
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2956
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link