RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
51
Около -42% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
36
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
13.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2227
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link