RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около -82% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2414
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link