RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
51
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2952
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link