RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
51
Около -34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
15.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
38
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3030
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link