RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
6.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
51
Около -89% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
12.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1732
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link