RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 21300
    Около 1.2% выше полоса пропускания
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Причины выбрать
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    33 left arrow 51
    Около -55% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15.8 left arrow 15.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    11.9 left arrow 11.8
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    51 left arrow 33
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.6 left arrow 15.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    11.8 left arrow 11.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    25600 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2687 left arrow 2824

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
модули RAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
модули RAM
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
модули RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
модули RAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
модули RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
модули RAM
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
модули RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
модули RAM
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
модули RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
модули RAM