RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
51
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
46
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.0
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2660
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link