RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
51
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
15.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2390
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link