RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
55
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
55
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2701
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link