RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
23400
Около 1.09% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.1
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
16.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
23400
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3758
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link