RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
51
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
42
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2737
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link