RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
56
Около 9% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
10.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.1
15.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
56
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
20.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2455
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link