RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
11.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
51
Около -50% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
34
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2786
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link