RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
51
Около -59% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2829
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link