RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
51
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
33
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2665
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link