RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
51
Около -96% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
26
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2633
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link