RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
6.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
51
Около -70% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
30
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
13.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1338
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
UMAX Technology 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link