RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
11.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
51
Около -9% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
47
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2875
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link