RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
11.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
51
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
15.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2575
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link