RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
57
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.1
15.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
57
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
20.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2328
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link