RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
57
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.1
15.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
57
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
20.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2328
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link