RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
10.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
51
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
15.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
46
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2453
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link