RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
51
Около -31% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
39
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.0
Скорость записи, Гб/сек
11.8
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2245
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Jinyu 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link