RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
51
Около -104% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
25
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
13.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2003
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link