RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около -113% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2434
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link