RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB против G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
35
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
18.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
17000
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2711
3145
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link