RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB против Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Средняя оценка
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
29
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
15.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
16.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
17000
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2711
2575
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link