RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB против Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Средняя оценка
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
29
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
15.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
16.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
17000
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2711
2575
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link