RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Сравнить
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB против A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
46
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.2
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
7.5
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1959
2281
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB Сравнения RAM
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 160C0 V3 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link