Mushkin 991586 2GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB

-->

Средняя оценка

Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

Средняя оценка

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Mushkin 991586 2GB

Причины выбрать
Mushkin 991586 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 91

Около 71% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.8 6.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

7.9 4.3

Среднее значение в тестах

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB

Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Mushkin 991586 2GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 91
Скорость чтения, Гб/сек

13.8 6.1
Скорость записи, Гб/сек

7.9 4.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2156 1214

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB

модули RAM

Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB

Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston XN205T-HYD2 16GB

Kingston XN205T-HYD2 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB

Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB

модули RAM

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB

модули RAM