RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB против SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
63
Около -152% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
7.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.8
5.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
25
Скорость чтения, Гб/сек
7.7
14.6
Скорость записи, Гб/сек
5.0
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1130
2073
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Jinyu 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link