RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
45
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
30
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2077
2688
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link