RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 996902 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Mushkin 996902 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Mushkin 996902 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Mushkin 996902 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
15
28
Около 46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
10.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Mushkin 996902 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
15
28
Скорость чтения, Гб/сек
20.6
13.8
Скорость записи, Гб/сек
14.0
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2566
2179
Mushkin 996902 2GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GX3M2A1600C8 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Mushkin 996902 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link