RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB против Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Средняя оценка
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
30
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.8
Скорость записи, Гб/сек
7.1
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1952
3273
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link