RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
27
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.3
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
11.4
Скорость записи, Гб/сек
7.1
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1952
2062
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link