RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
30
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.5
Скорость записи, Гб/сек
7.1
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1952
2374
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link