RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB против Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Средняя оценка
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
26
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.3
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.9
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
19.3
Скорость записи, Гб/сек
7.1
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1952
3751
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link