Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB против Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 26
    Около -4% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    14.8 left arrow 12.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.3 left arrow 7.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 10600
    Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    26 left arrow 25
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.3 left arrow 14.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.1 left arrow 9.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1952 left arrow 2340
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения