RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
70
Около 47% меньшая задержка
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.8
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
70
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.3
Скорость записи, Гб/сек
8.6
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
1971
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link