RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    13.9 left arrow 10.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.6 left arrow 8.1
    Среднее значение в тестах
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    35 left arrow 37
    Около -6% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    37 left arrow 35
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.9 left arrow 10.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.6 left arrow 8.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2395 left arrow 1998

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM

SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
модули RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
модули RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
модули RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
модули RAM