RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
37
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.7
Скорость записи, Гб/сек
8.6
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
3273
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link