RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 37
    Около -32% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    18.1 left arrow 13.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    15.6 left arrow 8.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 12800
    Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    37 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.9 left arrow 18.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.6 left arrow 15.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2395 left arrow 3693

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM

SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
модули RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
модули RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
модули RAM
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
модули RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
модули RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
модули RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
модули RAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
модули RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
модули RAM
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
модули RAM