RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.2
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
19.2
Скорость записи, Гб/сек
8.6
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
4032
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Inmos + 256MB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link