RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
37
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
17.4
Скорость записи, Гб/сек
8.6
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
3437
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CML8GX3M1A1600C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G4D1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link